MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
-- 6 0
-- 1 0
1 10010
-- 4 0
-- 5 0
-- 3 0
-- 2 0
7th Order
5th Order
3rd Order
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
Figure 9. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 1
-- 3
-- 5
40
Actual
Ideal
0
-- 2
-- 4
OUTPUT COMPRESSION AT THE 0.01%
PROBABILITY ON THE CCDF (dB)
1 10010
VDD
=28Vdc,Pout
= 170 W (PEP), IDQ
= 1400 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
IM3--U
-- 1 0
-- 2 0
-- 4 0
IMD, INTERMODULATIO
N DISTORTION (dBc)
20
60
400
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
-- 5 0
-- 3 0
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
80
120
18
54
48
42
36
30
24
?
D
?
DRAIN EFFICIENCY (%)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA
f = 2140 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB
--1 dB = 43.335 W
0
--2 dB = 61.884 W
--3 dB = 83.111 W
100
Figure 10. Digital Predistortion Correction versus
ACPR and Output Power
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
50
-- 7 0
-- 2 0
40 4241
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
ACPR, UPPER AND LOWER RESULTS (dBc)
43 44 45 46 47
Uncorrected, Upper and Lower
DPD Corrected
No Memory Correction
DPD Corrected, with Memory Correction
400
13
19
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
=28Vdc
IDQ
= 1400 mA
f = 2140 MHz
TC
=--30_C
25_C
50
85_C
10
1
18
17
16
15
14
40
30
20
10
?
D
?
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
?D
G
ps
, POWER GAIN (dB)
100
-- 3 0_C
25_C
85_C
48 49
-- 6 0
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, f = 2140 MHz Single--Carrier
W--CDMA, Input Signal PAR = 7.5 dB, ACPR @
?5MHz
Offset in 3.84 MHz Integrated Bandwidth
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